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MGY40N60


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 66A
Ptot 260W
TON/TOFF 221/710nS
TJ -
MGY40N60 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 66A, d´application: transistor di potenza (tipo universale)
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per MGY40N60
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
copertura:TOP-3L
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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prodotti simili:GN6075E, [piú]
GN6075E,GT80J101
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MGY40N60


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GFX
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UGE 20V
IC 66A
Ptot 260W
TON/TOFF 221/710nS
TJ -
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Jaeger electronic catalog 1999
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UGE 20V
IC 66A
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Jaeger electronic catalog 1999
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Motorola Semiconductor Products Inc.
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GN6075E,GT80J101
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GN6075E


SI N-IGBT transistor
similar to MGY40N60, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 75A
Ptot 250W
TON/TOFF 1/1.2µS
TJ -
GN6075E è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 75A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: GN6075E
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
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UGE 20V
IC 75A
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Jaeger electronic catalog 1999
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Hitachi Ltd. Japan
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GT80J101


SI N-IGBT transistor
similar to MGY40N60, see note
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 80/160A
Ptot 200W
TON/TOFF 500/700nS
TJ 150°C
GT80J101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 80A, d´application: transistori di communtazione e prestazione
Foto: -
fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT80J101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-21F1C
scheda tecnica (jpg):disponibile
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IC DC/AC 80/160A
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TON/TOFF 500/700nS
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GT80J101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 80A, d´application: transistori di communtazione e prestazione
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fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT80J101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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UGE ±20V
IC DC/AC 80/160A
Ptot 200W
TON/TOFF 500/700nS
TJ 150°C
GT80J101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 80A, d´application: transistori di communtazione e prestazione
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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